Wandong Kim: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (28)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Three-Dimensional nand Flash Architecture Design Based on Single-Crystalline STacked ARray

Yoon Kim, Jang-Gn Yun, Se Hwan Park, Wandong Kim, Joo Yun Seo, Myounggon Kang, Kyung-Chang Ryoo, Jeong-Hoon Oh, Jong-Ho Lee, Hyungcheol Shin, Byung-Gook Park

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.40 MB

english, 2012

2

256 Gb 3 b/Cell V-NAND Flash Memory With 48 Stacked WL Layers

Kang, Dongku, Jeong, Woopyo, Kim, Chulbum, Kim, Doo-Hyun, Cho, Yong Sung, Kang, Kyung-Tae, Ryu, Jinho, Kang, Kyung-Min, Lee, Sungyeon, Kim, Wandong, Lee, Hanjun, Yu, Jaedoeg, Choi, Nayoung, Jang, Dong

Журнал:

IEEE Journal of Solid-State Circuits

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.97 MB

english, 2016

3

Vertical-Channel STacked ARray (VCSTAR) for 3D NAND flash memory

Park, Se Hwan, Kim, Yoon, Kim, Wandong, Seo, Joo Yun, Park, Byung-Gook

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.42 MB

english, 2012

4

[IEEE 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) - Honolulu, HI, USA (2012.06.10-2012.06.11)] 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) - Investigation into the effect of the variation of gate dimensions on program characteristics in 3D NAND flash array

Seo, Joo Yun, Kim, Yoon, Park, Se Hwan, Kim, Wandong, Kim, Do-Bin, Lee, Jong-Ho, Shin, Hyungcheol, Park, Byung-Gook

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 378 KB

english, 2012

5

Light Effect on Negative Bias-Induced Instability of HfInZnO Amorphous Oxide Thin-Film Transistor

Dae Woong Kwon, Jang Hyun Kim, Ji Soo Chang, Sang Wan Kim, Wandong Kim, Jae Chul Park, Chang Jung Kim, Byung-Gook Park

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 821 KB

english, 2011

6

[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - Investigation of vertical type single-electron transistor with sidewall spacer quantum dot

Kim, Kyung-Wan, Lee, Jung Han, Kang, Kwon-Chil, Kim, Hyun Woo, Seo, Joo Yun, Kim, Wandong, Park, Byung-Gook

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 559 KB

english, 2011

7

[IEEE 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2013.12.9-2013.12.11)] 2013 IEEE International Electron Devices Meeting - Channel-stacked NAND flash memory with layer selection by multi-level operation (LSM)

Kim, Wandong, Seo, Joo Yun, Kim, Yoon, Park, Se Hwan, Lee, Sang Ho, Baek, Myung Hyun, Lee, Jong-Ho, Park, Byung-Gook

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.72 MB

english, 2013

8

Arch NAND Flash Memory Array With Improved Virtual Source/Drain Performance

Kim, Wandong, Lee, Jung Hoon, Yun, Jang-Gn, Cho, Seongjae, Li, Dong-Hua, Kim, Yoon, Kim, Doo-Hyun, Lee, Gil Sung, Park, Se-Hwan, Shim, Won Bo, Lee, Jong-Ho, Shin, Hyungcheol, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 528 KB

english, 2010

9

[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - A tunneling field-effect transistor using side metal gate/high-k material for low power application

Kim, Hyun Woo, Lee, Jung Han, Kim, Wandong, Sun, Min-Chul, Kim, Jang Hyun, Kim, Garam, Kim, Kyung-Wan, Kim, Hyungjin, Seo, Joo Yun, Park, Byung-Gook

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 222 KB

english, 2011

10

[IEEE 2010 IEEE 10th Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) - Ilsan, Gyeonggi-Do, Korea (South) (2010.08.17-2010.08.20)] 10th IEEE International Conference on Nanotechnology - Influence of sidewall thickness variation on transfer characteristics of L-shaped Impact-ionization MOS transistor

Min-Chul Sun,, Wandong Kim,, Jeong-Hoon Oh,, Kyung-Chang Ryoo,, Sang Wan Kim,, Garam Kim,, Hyun Woo Kim,, Sunghun Jung,, Dae Woong Kwon,, Ji Soo Jang,, Jang Hyun Kim,, Park, Byung-Gook

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 561 KB

english, 2010

11

Array Structure

Yoon Kim,, Il Han Park,, Seongjae Cho,, Jang-Gn Yun,, Jung Hoon Lee,, Doo-Hyun Kim,, Gil Sung Lee,, Se-Hwan Park,, Dong Hua Lee,, Won Bo Sim,, Wandong Kim,, Hyungcheol Shin,, Jong-Duk Lee,

Журнал:

IEEE Transactions on Nanotechnology

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.88 MB

english, 2010

12

[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - Investigation of self boosting disturbance induced by channel coupling in 3D stacked NAND flash memory

Kim, Wandong, Kim, Yoon, Park, Se-Hwan, Seo, Joo Yun, Kim, Do-Bin, Kim, Seung-Hyun, Park, Byung-Gook

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 241 KB

english, 2011

13

[IEEE 2009 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) - Traverse City, MI, USA (2009.06.2-2009.06.5)] 2009 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference - Effects of equivalent oxide thickness on bandgap-engineered SONOS flash memory

Li, Dong Hua, Park, Il Han, Seongjae Cho,, Yun, Jang-Gn, Lee, Jung Hoon, Doo-Hyun Kim,, Lee, Gil Sung, Yoon Kim,, Park, Se Hwan, Won Bo Shim,, Wandong Kim,, Park, Byung-Gook

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 169 KB

english, 2009

14

[IEEE 2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009) - College Park, MD (2009.12.9-2009.12.11)] 2009 International Semiconductor Device Research Symposium - Thickness-dependence of oxide-nitride-oxide erase property in SONOS flash memory

Dong Hua Liq,, Wandong Kim,, Jung Hoon Lee,, Byung-Gook Park,

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 227 KB

english, 2009

15

[IEEE 2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009) - College Park, MD (2009.12.9-2009.12.11)] 2009 International Semiconductor Device Research Symposium - Enhancement of erase speed using silicide drain in nanowire SONOS NAND flash memory

Wandong Kim,, Il Han Park,, Seongjae Cho,, Dong Hua Li,, Jang-Gn Yun,, Byung-Gook Park,

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 255 KB

english, 2009

16

[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - Vertical-channel stacked array (VCSTAR) for 3D NAND flash memory

Kim, Yoon, Park, Se Hwan, Kim, Wandong, Seo, Joo Yon, Park, Byung-Gook

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 870 KB

english, 2011

17

[IEEE 2013 IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC) - Singapore, Singapore (2013.01.2-2013.01.4)] 2013 IEEE 5th International Nanoelectronics Conference (INEC) - A study on gate-AU-around (GAA) polycrystalline silicon channel SONOS flash memory

Seo, Joo Yun, Lee, Sang-Ho, Kim, Yoon, Park, Se Hwan, Kim, Wandong, Kim, Do-Bin, Park, Byung-Gook

Рік:

2013

Файл:

PDF, 550 KB

2013

18

Enhancement of Radiative Recombination by Different Indium Composition of Multiple Quantum Barriers in GaN-Based Light-Emitting Diodes

Park, Euyhwan, Kim, Garam, Kim, Wandong, Kim, Janghyun, Kang, Donghoon, Son, Joong-Kon, Park, Byung-Gook

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2013

19

Variation of Threshold Voltage and ON-Cell Current Caused by Cell Gate Length Fluctuation in Virtual Source/Drain NAND Flash Memory

Kim, Wandong, Kim, Yoon, Park, Se Hwan, Seo, Joo Yun, Kim, Do Bin, Park, Byung-Gook

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 191 KB

english, 2012

20

Investigation of Threshold Voltage Disturbance Caused by Programmed Adjacent Cell in Virtual Source/Drain NAND Flash Memory

Kim, Wandong, Kwon, Dae Woong, Ji, Jung Hwan, Lee, Jung Hoon, Lee, Jong-Ho, Shin, Hyungcheol, Park, Byung-Gook

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2011

Файл:

PDF, 539 KB

2011

21

Extended Word-Line NAND Flash Memory

Yun, Jang-Gn, Park, Il Han, Kim, Wandong, Lee, Jong Duk, Park, Byung-Gook

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 670 KB

english, 2009

22

Multi-Level Threshold Voltage Setting Method of String Select Transistors for Layer Selection in Channel Stacked NAND Flash Memory

Kwon, Dae Woong, Kim, Wandong, Kim, Do-Bin, Lee, Sang-Ho, Seo, Joo Yun, Baek, Myung Hyun, Park, Ji-Ho, Choi, Eunseok, Cho, Gyu Seong, Park, Sung-Kye, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 706 KB

english, 2015

23

Characteristics of gate-all-around polycrystalline silicon channel SONOS flash memory

Seo, Joo Yun, Lee, Sang Ho, Park, Se Hwan, Kim, Wandong, Kim, Do Bin, Park, Byung Gook

Журнал:

International Journal of Nanotechnology

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.67 MB

english, 2014

24

Analysis on Trapping Kinetics of Stress-Induced Trapped Holes in Gate Dielectric of Amorphous HfInZnO TFT

Kwon, Dae Woong, Kim, Jang Hyun, Kim, Wandong, Kim, Sang Wan, Lee, Jong-Ho, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.10 MB

english, 2016

25

Layer Selection by Multi-level Permutation (LSMP) in 3D Stacked NAND Flash Memory

Lee, Sang-Ho, Kim, Wandong, Kwon, Dae, Seo, Joo, Baek, Myung, Lee, Sungbok, Kang, Jinkyu, Jang, Woojae, Lee, Jong-Ho, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 674 KB

english, 2016

26

Channel-Stacked NAND Flash Memory With Tied Bit-Line and Ground Select Transistor

Kwon, Dae Woong, Seo, Joo Yun, Park, Se Hwan, Kim, Wandong, Kim, Do-Bin, Lee, Sang-Ho, Cho, Gyu Seong, Park, Sung-Kye, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 718 KB

english, 2016

27

Novel Program Method of String Select Transistors for Layer Selection in Channel-Stacked NAND Flash Memory

Kwon, Dae Woong, Kim, Wandong, Kim, Do-Bin, Lee, Sang-Ho, Seo, Joo Yun, Choi, Eunseok, Cho, Gyu Seog, Park, Sung-Kye, Lee, Jong-Ho, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.74 MB

english, 2016

28

Effects of Localized Body Doping on Switching Characteristics of Tunnel FET Inverters With Vertical Structures

Kwon, Dae Woong, Kim, Hyun Woo, Kim, Jang Hyun, Park, Euyhwan, Lee, Junil, Kim, Wandong, Kim, Sangwan, Lee, Jong-Ho, Park, Byung-Gook

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.56 MB

english, 2017